Диоды Шоттки повышают эффективность схем в тенденциях проектирования

Разочарованные неэффективными диодами, ограничивающими конструкцию ваших схем?Познакомьтесь с диодом Шоттки - секретным оружием инженера-электроника, которое с его замечательными преимуществами скорости и эффективности преодолевает барьеры производительности.

Диоды Шоттки, также называемые барьерными диодами Шоттки или горячими диодами-носителями,имеют уникальное соединение металл-полупроводник вместо обычного соединения полупроводник-полупроводник, найденного в стандартных диодахЭто фундаментальное структурное различие создает их отличительные преимущества в производительности.

Диоды Шоттки приносят две преимущества:

• Нижнее напряжение вперед:В то время как стандартные кремниевые PN-диоды обычно требуют 600-700 мВ для проводимости, диоды Шоттки работают всего на 150-450 мВ, значительно уменьшая потери энергии и генерацию тепла.
• Быстрее переключается:Как однополярные устройства, диоды Шоттки переключаются на скорости, ограниченные только емкостью соединения, превосходящие диоды соединения PN, подверженные эффектам хранения меньшинства носителей.

Волшебство происходит на интерфейсе металл-полупроводник, где барьер Шоттки образуется из-за различий в рабочей функции между материалами.Электроны легко пересекают этот барьер от полупроводника к металлу, в то время как обратный уклон блокирует ток.

Выбор материала определяет эксплуатационные характеристики.В то время как полупроводники типа P предлагают более низкое напряжение вперед, их более высокий обратный ток утечки делает их менее практичными.

Более высокие концентрации допинга уменьшают ширину истощения, что позволяет квантовое туннелирование на экстремальных уровнях.но требует точного контроля, чтобы избежать чрезмерной утечки или сопротивления.

Острые контактные края создают высокие электрические поля, которые ограничивают напряжение обратного разрыва.

• Защитные кольца (для больших, высоковольтных диодов)
• Металлическое перекрытие слоев (для меньших, низковольтных диодов)

В энергетических приложениях паразитарная устойчивость от похороненных слоев n+ и эпитаксиальных слоев n-типа становится критической.Диоды Schottky обычно обрабатывают меньше энергии, чем сравнимые PN-диоды перед сбоем.

Диоды Шоттки резко превосходят диоды с соединением PN в обратном времени восстановления (trr) - переходе от проводящего к непроводящему состоянию.Диоды Шоттки с небольшим сигналом могут переключаться примерно за 100 пикосекунд, в то время как мощные версии управляют десятками наносекунд.

Диоды Шоттки играют важную роль в:

• Сцепление напряжения и антинасыщение транзисторов
• Защита от обратного тока в солнечных системах
• Электрические источники питания с переключателем
• Электрические или электрические цепи
• Схемы отбора проб и хранения
• Управление квантовым устройством

Диоды Шоттки из карбида кремния предлагают превосходные характеристики:

• Резко снизить обратную утечку
• Высшее напряжение вперед (1,4-1,8 В при 25 °С)
• Напряжения обратного действия до 1700 В
• Тепловая устойчивость до 500K (200°C)

Популярные диоды Schottky включают серию 1N58xx (1N581x, 1N582x) для ректификации и модели малого сигнала, такие как серии 1N5711 и BAT41-49 для высокочастотных приложений.Они также являются неотъемлемой частью 7400 TTL логических семейств как Бэйкер зажимает.